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21世紀版薄膜作製応用ハンドブック
[コードNo.03NTS076]

■体裁/ B5判 上製 1448頁
■発行/ 2003年 4月 22日
(株)エヌ・ティー・エス
■定価/ 70,200円(税込価格)

好評を博した「薄膜作製応用ハンドブック」を大幅改訂。重要な薄膜作製技術および評価技術、
広範囲にわたる各種産業への応用をわかりやすく、実務的な感覚で記述。また技術内容の変化・
高度化に伴って構成・項目を一新。
注目される有機バイオデバイス、カーボンナノチューブについても詳述した。
巻末にはキーワード索引、略語索引、化学式索引、評価方法と評価対象の一覧を掲載し、抜群の
利便性を誇る。

発刊にあたって
 最近の各産業における技術の発展はめざましいものがあるが、このなかにあって薄膜
技術のしめる役割は極めて大きく、またその重要性はますます増大しており、薄膜技術
がなくては多くの産業が成り立たないといってもよいだろう。
 このため薄膜に関係した専門的な会議が数多く開かれ、技術報告も多数出されている。
しかし、これらは専門化、細分化されているため、共通した技術がたくさんあるにもか
かわらず、全体をみて必要な技術をとりこんでゆくのがむずかしいのが現状である。
 このようなときにあって、重要な薄膜技術および評価技術、とくに広い分野の各種産
業への応用をわかりやすく、すぐ役に立つような実務的な感覚で記述したハンドブック
が必要であると考え、高度の学識と経験をもつ多くの専門家のご協力を頂いて、1995年
に(株)エヌ・ティー・エスから「薄膜作製応用ハンドブック」を発刊した。幸いにして、
このハンドブックは好感をもって迎えられ、短期間で在庫がなくなり増し刷りを依頼さ
れるほどの好評であった。
 このような事情と、発刊後8年以上経過し、技術内容も変化し高度化してきているこ
とを考慮し、今回新たに新訂版をつくることにした。新しい技術内容を盛り込むことは
勿論であるが、編集委員の方々と使いやすさという観点から全体を見直し、構成や項目
も一新した。この意味で、本書はいままでの編集の経験をいかしながら、新しいハンド
ブックを目指しているといってもよいだろう。また本書では、監修者と編集委員がすべ
ての原稿を念入りにチェックし、必要があれば原稿を書き直して頂いており、より読み
やすく、役に立つハンドブックになっているものと思う。
 このような特色をもつ本書は、薄膜の作製や評価、応用にたずさわる方々に十分役に
立つものと信じ、ひろく活用されることを期待する次第である。

                      2003年3月  監修者 権田 俊一

監修者
權田 俊一
大阪大学 名誉教授・福井工業大学 宇宙通信工学科 教授
編集委員(五十音順)
小川 正毅
多賀 康訓
日本電気(株) 研究企画部 エグゼクティブエキスパート
(株)豊田中央研究所 フェロー・第一特別研究室長
編集協力委員
八瀬 清志
産業技術総合研究所 光技術研究部門 副部門長
■ 執筆者の一覧はこちらです

構成と内容
第1編 薄膜材料の特性と特徴
第1章 薄膜の特徴と特性  第1節 薄膜とは       薄膜の定義と表現 / 薄膜の歴史  第2節 薄膜の特徴       薄膜化効果 / 表面効果および界面効果 /       結晶構造変化多層構造による効果 / その他  第3節 薄膜の特性と作製方法       要求特性と作製条件 / 作製・形成方法 / 薄膜作製の素過程 /       薄膜特性と作製方法  第4節 薄膜の特性と評価       評価技術全般 / 組成・構造評価 / 特性(物性)評価 第2章 薄膜材料の電気特性  第1節 電気伝導       さまざまな輸送現象 / ボルツマン輸送方程式 / 磁気輸送現象 /       電子の散乱 / 量子輸送現象  第2節 磁界効果       電流磁気効果の一般論 / 結晶軸に対する異方性の基本例 /       薄膜構造の影響の基礎 /       MOS反転層における2次元導電現象と電流磁気効果  第3節 熱電効果       熱電効果 / 熱電能の一般式 / 薄膜材料の熱電能の測定  第4節 ピエゾ抵抗       ピエゾ抵抗係数 / n型Si(多谷型伝導帯)のピエゾ抵抗係数 /       p型Siのピエゾ抵抗係数 第3章 薄膜材料の磁気特性  第1節 まえがき  第2節 磁性体の分類および磁気的性質       磁性体の分類 / 飽和磁化およびキュリー温度 / 磁気異方性 / 磁区  第3節 軟磁性薄膜       金属ソフト磁性材料開発のアプローチ / パーマロイ薄膜 /       Fe-Co-Ni合金薄膜 / センダスト系薄膜 / 微結晶薄膜  第4節 硬磁性薄膜       磁気記録媒体としての磁性薄膜 /       Nd-Fe-B/α-Fe多層膜型ナノコンポジット磁石  第5節 スピンエレクトロニクス薄膜       磁気抵抗効果 / 金属人工格子,多層膜 / トンネル接合 第4章 薄膜材料の光学特性  第1節 透過・反射       薄膜の光学 / 光学多層膜の透過・反射 / 導波路  第2節 吸収       薄膜における光吸収のメカニズムによる分類 /       半導体(結晶)における吸収  第3節 発光       薄膜における発光のメカニズムによる分類 /       母体中に添加された原子やイオンを利用した発光材料 /       半導体中の電子と正孔の再結合を利用した発光材料  第4節 電気光学効果       電気光学効果とは / 強誘電体材料での屈折率変化の表現 /       ポッケルス効果 / カー効果 / フランツ―ケルディッシュ効果 /       量子閉込め構造での電界効果  第5節 磁気光学効果       磁気光学効果の現象論 / 磁気光学効果の測定法 /       各種物質の磁気光学スペクトル  第6節 光伝導・光起電力       光伝導 / 光起電力 第5章 薄膜材料の力学特性  第1節 応力・ひずみ       応力測定法 / 蒸着膜応力 / スパッタ膜応力 / 真性応力の原因  第2節 硬さ・強度       硬さの物理的意味 / 超微小硬さについて / 薄膜の硬さ測定例  第3節 付着力       付着力と破壊 / 付着力の原因 / 付着性評価法 /       成膜プロセスと付着力 / 付着力向上対策のまとめ  第4節 薄膜トライボロジー       薄膜のトライボロジー特性評価法 /       薄膜形成によるトライボロジー特性改善のメカニズム /       薄膜材料のトライボロジー 第6章 薄膜材料の化学特性  第1節 表面反応       シリコンの熱酸化 / シリコン系の窒化 / 金属の高温酸化  第2節 光触媒       光触媒と光電気化学セル / 微粒子光触媒のエネルギー構造 /       光触媒の反応性に対する粒径効果 / 酸化チタン光触媒 /       酸化チタンの光触媒作用 / 酸化チタン光触媒の固定化 /       酸化チタン透明薄膜光触媒の抗菌性 /       酸化チタン透明薄膜光触媒の超親水性  第3節 耐食性,腐食性       腐食性 / 耐食性  第4節 (超)はっ水/(超)親水表面       ぬれを支配する二つの因子 / ぬれに対する化学的因子の効果 /       フラクタル表面のぬれ:微細構造因子の効果 /       超はっ水/はつ油表面の実現 / 超はっ水表面に関する他の研究
第2編 薄膜の作製と加工
第1章 基板と表面処理  第1節 金属基板       ステンレス鋼基板 / 非鉄材料  第2節 半導体基板(Si,GaAs等 V−X族化合物,SiC)       シリコン基板表面処理 / GaAs等V−X族化合物半導体基板表面処理 /       SiC基板表面処理  第3節 絶縁体基板      ■ガラス基板        ガラス材料の特徴 / ガラス基板への要求項目 /        各種基板ガラスの種類および製造法 / ガラス基板の代表的用途      ■酸化物単結晶基板:サファイア(Al2O3,ペロブスカイト)        サファイア(Al2O3) / 酸化亜鉛(ZnO) /        各種ペロブスカイト基板結晶 / 微傾斜基板ほか      ■酸化物基板:マグネシア(MgO)        マグネシア単結晶の育成 /        マグネシア単結晶基板の加工マグネシア単結晶基板の熱処理  第4節 プラスチック基板       プラスチックとは / プラスチック基板の留意点 / 応用各論 /       まとめと将来展望 第2章 PVD法  第1節 真空蒸着法       真空蒸着 / 化合物の蒸着  第2節 分子線エピタキシー(MBE)法       MBEの原理と特徴 / 固体ソースMBE装置とMBE成長 /       ガスソースMBE装置と成長過程 / V−X族化合物半導体のMBE /       Si系半導体のMBE / U−W族化合物半導体のMBE /       シリサイド,金属間化合物,絶縁物のMBE  第3節 スパッタリング法       スパッタ現象 / スパッタ成膜過程 / スパッタ成膜法  第4節 イオン化蒸着法       薄膜形成におけるイオン照射効果 / イオン化蒸着膜の形成方法と特徴  第5節 パルスレーザ堆積(レーザアブレーション)法       原理と特徴 / 成膜装置 / メカニズム / 研究例 /       新しい展開:コンビナトリアルレーザ / 分子線エピタキシー法 第3章 CVD法  第1節 熱CVD法      ■熱CVDの原理        熱CVD反応系の種類とその特徴      ■シリコン系半導体膜        SiGe薄膜のGe比率制御とP,B,Cドーピング制御 /        シリコン系薄膜の選択エピタキシャル成長と多結晶成長 /        シリコン系薄膜の原子層成長制御と原子層ドーピング制御 /      ■金属・シリサイド膜        各論(Siデバイス適用例)      ■金属窒化膜        金属窒化膜の堆積      ■絶縁膜        低温熱CVD:SiO2 / 高温熱CVD:SiO2 / 高温熱CVD:Si3N4  第2節 ALE法      ■ALE法の原理        ALEの特徴 / ALEプロセスのメカニズム / ALEプロセスウインドー /        ALEリアクター      ■ALE法によるアルミナ/チタニア積層膜の形成        ATO膜の特徴 / ATO膜の実例      ■LSI用膜        ALCVD法の特徴とLSI用膜への適用性 /        LSI用膜のALCVDプロセス概要 / Al2O3膜 / ZrO2膜 / その他  第3節 プラズマCVD法      ■プラズマCVD法および光CVD法        プラズマCVD法の原理・概観 / 光CVDの原理・概観      ■アモルファスおよび微結晶シリコン系薄膜      ■シリコンおよびlow‐k膜の成膜        シリコンの低温成膜 / low‐k膜の成膜  第4節 MOCVD法      ■MOCVD法の原理        MOCVD用原料 / MOCVD装置 / 結晶成長機構      ■V−X族        GaAs系 / InP系 / GaN系 / 選択成長 / 量子ナノ構造      ■U−W族        U−W族半導体とMOCVD / ナローギャップ系 / ミドルギャップ系 /        ワイドギャップ系      ■酸化物        超伝導酸化物薄膜 / 強誘電性酸化物薄膜 / 酸化物薄膜の原子層CVD 第4章 液相成長法  第1節 液相エピタキシー法       原理と成長方法 / 成長層の厚さの制御 / 混晶の組成制御格子整合 /       不純物濃度の制御  第2節 種子結晶基板製作への応用と展望       基板用結晶と成長原理 / 厚い結晶層の成長法 第5章 塗布・ゾル−ゲル法  第1節 塗布法       概略 / 塗布形成層間絶縁膜材料 / スピンコーティング法 /       プリウェット−スピンコーティング法 / ノズルスキャン塗布法  第2節 インクジェット塗布法       インクジェットの要素技術 / インクジェット液滴の特徴 /       インクジェット塗布成膜技術:有機ELディスプレイ開発  第3節 ゾル−ゲル法による機能性薄膜の作製       ゾル−ゲルプロセス / 無機・有機ハイブリッド膜 /       ゾル−ゲル法による機能性薄膜と微細パターニング /       光感応性ゲル膜による電子・光学素子の作製 / 光学素子の作製 /       電気めっき / 無電解めっき / 応用例 第6章 ナノ構造作製法  第1節 ナノ構造作製法の原理       半導体微細加工技術 / 電子ビーム用レジストの解像度 /       高解像度電子線用ネガ型レジスト:カリックスアレン /       レジストの分子量と解像度ならびに感度の関係 /       集束イオンビームによる立体ナノ構造形成技術 /  第2節 MBEによる自己形成量子ドット       自己形成量子ドットの形成原理 / MBEによる形成技術  第3節 フォトニック結晶       完全3次元フォトニック結晶と超小型光回路 /       2次元フォトニック結晶とその応用 第7章 有機・高分子・生体関連薄膜作製法  第1節 ウェット作製プロセス      ■スピンコート,LB        スピンコーティング / 水面上の単分子膜形成能と化学構造 /        単分子膜 / LB法 / LB膜の構造 / LB膜製膜装置 / π‐A曲線      ■電解重合法        薄膜作製法としての電解重合法 / 電解重合膜の作製システム /        電解重合膜の成長 / カウンターイオンによる機能付加 /        電気化学デバイスの固体化      ■交互吸着法        交互吸着法とは / 薄膜作製法 / 積層薄膜の構造 /        交互吸着法の展開 / 交互吸着膜の利用  第2節 ドライ作製プロセス      ■蒸着法(分子線エピタキシー法)        ファンデアワールス基板上への有機薄膜のエピタキシャル成長 /        ダングリングボンド終端した基板表面上への                      有機薄膜のエピタキシャル成長 /        イオン結晶基板上への有機分子薄膜のエピタキシャル成長 /        選択成長による有機ナノ構造の作製 / 今後の展望      ■蒸着重合        ラジカル重合系蒸着重合 / 縮合系蒸着重合 / 蒸着重合の特徴 /        蒸着重合の応用 / 将来の薄膜材料への展望  第3節 ソフトマテリアルの自己組織化      ■金‐チオール自己組織化膜        自己組織化膜の作製法 /        アルカンチオール自己組織化膜の構造と物性 /        機能性自己組織化膜の作製と応用      ■低分子(合成脂質系)        双頭型脂質の分子設計 / 種々の高軸比ナノ構造(HARN)形成      ■自己組織化による高分子薄膜のパターン化        高分子キャスト過程における「自己組織化」現象 /        材料化に向けて /タンパク質の2次元結晶化 /        生体内のタンパク質2次元結晶 / タンパク質2次元結晶作製 /        水溶性タンパク質:フェリチンの2次元結晶化の実例 /        固体基板上に作られる2次元結晶の例:S-layer,Hsp /        タンパク質の結晶化の目的と新しい応用 第8章 パターン化技術  第1節 リソグラフィ       リソグラフィの動向 / KrF(248nm)リソグラフィ /       超解像リソグラフィ / ArF(193nm)リソグラフィ /       レーザ(157nm)リソグラフィ / X線リソグラフィ /       電子線リソグラフィ  第2節 レジスト       リソグラフィの動向とレジスト /       KrF(248nm)リソグラフィ用レジスト /       ArF(193nm)リソグラフィ用レジスト /       F2レーザ(157nm)リソグラフィレジスト材料 /       EUV(extremeUV:13nm)用レジスト / 電子線レジスト  第3節 ウェットエッチング       SiO2のエッチング / Si3N4のエッチング /       その他の絶縁膜エッチング / Siのエッチング /       その他の半導体材料のエッチング / 金属のエッチング 第9章 薄膜の加工/改質技術  第1節 CMP技術       LSIデバイス平たん化とCMP技術 / CMP装置と研磨液 /       LSIデバイス平たん化工程への実施例  第2節 再結晶・アニール       レーザビーム再結晶化法 / 高品位多結晶Si薄膜形成方法  第3節 プラズマエッチング技術       プラズマエッチングとは / プラズマエッチング機構 /       プラズマエッチング装置 / チャージアップダメージの抑制 /       高密度プラズマ生成における放電周波数の効果 /       ガス構造最適化による高精度エッチング  第4節 レーザ加工・改質       薄膜加工・改質用レーザ / 研究開発状況  第5節 X線(放射光)・電子線加工・改質       放射光加工 / 電子線加工  第6節 ビーム加工       電子ビーム加工 / 集束イオンビーム加工 / 物質波テクノロジー  第7節 STM加工      ■無機物        原子の移動による加工 / クラスターの移動による加工 /        水素原子はく離によるテンプレート作製と原子オーダ加工 /        走査プローブ陽極酸化法を用いた微細加工      ■走査プローブ顕微鏡による有機材料の加工・記録        プローブ加工 / プローブ記録 / プローブ加工・記録の今後
第3編 薄膜・表面・界面の分析と評価
第1章 薄膜・表面・界面の分析・評価  第1節 電子線       透過電子回折法(transmission electron diffraction;TED)       反射高速電子回折法        (reflection high-energy electron diffraction;RHEED)       低速電子回折法(low-energy electron diffraction;LEED)       透過電子顕微鏡法(transmission electron microscopy;TEM)       反射電子顕微鏡法(reflection electron microscopy;REM)       反射低速電子顕微鏡法(low-energy electron microscopy;LEEM)       走査電子顕微鏡法(scanning electron microscopy;SEM)       走査透過電子顕微鏡法        (scanning transmission electron microscopy;STEM)       走査反射電子顕微鏡法        (canning reflection electron microscopy;SREM)       電子顕微鏡を用いた分析(analyticalelectronmicroscopy;AEM)  第2節 イオンビームによる組成分析       SIMS / PIXE / RBS / ISS  第3節 光       概説 / 光吸収,光反射 / フォトルミネッセンス / 光伝導・光容量法  第4節 SOR光       SOR光の発生 / 挿入光源 / 装置 / 分析方法 /       放射光施設利用に際しての留意点  第5節 薄膜のX線評価       多結晶薄膜 / 単結晶薄膜  第6節 XPS・UPS       特徴 / 装置 / XPSスペクトルに含まれる情報 / 深さ方向分析 /       分析例 / 測定における注意点  第7節 走査プローブ顕微鏡       走査トンネル顕微鏡(STM) / 原子間力顕微鏡(AFM) /       走査プローブ顕微鏡(SPM) 第2章 薄膜分析・評価対象各論  第1節 膜厚分析       膜厚測定法  第2節 組成分析       Lambert‐Beerの法則と検量線 /       特性X線や単色X線による励起と定性分析       XPSの定量分析 / X線・電子線による内殻励起と定性分析 /       イオンによる励起と定性分析 / オージェ電子分光法(AES)の定量分析  第3節 形態分析       透過電子顕微鏡 / 走査電子顕微鏡 / 反射電子顕微鏡 /       低エネルギー電子顕微鏡  第4節 結晶性―RHEED法を中心として       電子の波長 / 電子回折理論 / RHEED図形による薄膜結晶の評価  第5節 化学結合状態       事前作業 / 手法 / 帯電とエネルギーの較正 / 相手元素(組成) /       価数(形式価数)とピークエネルギー値 / オージェパラメータ /       主ピークからのエネルギー損失関数 / 多重項分離 /       測定時損傷:化学状態分析の限界  第6節 欠陥・応力・ひずみ・付着力―界面強度の力学的評価       界面強度の考え方 / 界面端からの亀裂発生 / 評価試験法 /       界面亀裂の伝播  第7節 薄膜の表面・界面制御と信頼性       薄膜の研究開発と表面・界面制御 / 薄膜界面の役割 /       薄膜界面制御事例
第4編 薄膜技術の応用と展望
第1章 半導体デバイス  第1節 LSI    ■ MOSFET用薄膜の応用と展望       薄膜とデバイススケーリング則 / MOSFET構造の技術トレンド /       MOSFET用シリサイド膜と金属膜 / 技術展望    ■ ゲート酸化膜       ゲート酸化膜の薄さ / 酸化膜の絶縁破壊 /       ストレス誘起リーク電流(SILC) / 今後の展開    ■ メモリーセル用薄膜:DRAM用キャパシタ薄膜       DRAMの動作原理 / メモリーセル構造の変遷:キャパシタ容量の確保 /       キャパシタ材料とキャパシタ薄膜作製プロセス /       DRAM用キャパシタの課題と技術動向    ■ フラッシュメモリー用トンネル絶縁膜       フラッシュメモリーの素子構造と動作原理 /       トンネル絶縁膜への要求性能 / トンネル酸窒化膜 /       トンネル絶縁膜の今後の課題    ■ FeRAM用キャパシタ薄膜       FeRAMの動作原理 / キャパシタ材料とFeRAMの作製プロセス /       FeRAM用キャパシタの課題と動向    ■ MRAM用強磁性トンネル接合薄膜       MRAMの素子構造と動作原理 / TMR素子材料 /       薄膜作製プロセスと製造装置MRAM用TMR薄膜の課題と動向    ■ イオン注入       イオン注入法の特徴 / イオン注入装置 /       LSIデバイスにおけるイオン注入の応用と将来展望    ■ SOI       SOI基板の製造方法 / SOIデバイス  第2節 化合物電子デバイス/量子効果デバイス    ■ HEMT(高電子移動度トランジスタ)       素子構造と動作原理 / InP系HEMTとその特性 /       AlGaN/GaN系HEMTとその特性 / Si系HEMT / MMIC技術    ■ ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)       動作原理と直流動作 / 高周波動作 / 電子走行時間 /       実際のデバイス構造 / 結晶系の変更によるHBTの高性能化 /       HBTの回路応用    ■ 量子効果素子 第2章 光部品  第1節 光学多層膜光部品    ■ 反射防止膜       光学薄膜の特性計算 / 単層反射防止膜 / 2層反射防止膜 /       3層反射防止膜 / 4層反射防止膜 / 等価膜と多層反射防止膜    ■ ミラーおよびフィルター       反射増強膜(ミラー類) / 波長分割膜(フィルター類) /       光路・光量分割膜(ビームスプリッター類) / その他の光学薄膜    ■ 光学多層膜の応用例および評価方法       光学多層膜の応用例 / 光学薄膜の評価方法  第2節 光導波路デバイス    ■ 無機光導波路デバイス       PLCデバイスの特徴 / 石英系ガラス導波路の作製法 /       アレイ導波路回折格子(AWG)型波長フィルター /       光スイッチアドドロップデバイス /       AWGと半導体をハイブリッド化した高速波長セレクタ /    ■ 有機光導波路デバイス       ポリマー材料の設計と合成 / 光導波路作製プロセス /       光インターコネクションと光実装応用 / 光導波路デバイス  第3節 発光ダイオード       LEDとは / LEDの発光原理,発光効率 /       η「発光効率」を向上させるためのLEDの構造 / 半導体材料と発光波長  第4節 半導体レーザ    ■ V−X族半導体レーザ       半導体レーザの構造と薄膜作製技術 /       V−X族半導体レーザの応用分野 /       光ディスク用半導体レーザ    ■ 青紫色LD       低転位GaN形成技術 / 低転位GaN上400nm帯LDの構造LD特性 /       今後の展望  第5節 CCD・イメージセンサ       CCDの原理 / CCDのイメージセンサへの応用 / CMOSセンサ 第3章 ディスプレイ  第1節 薄膜ELディスプレイ       薄膜ELディスプレイの構造と動作 /       EL動作機構とEL発光材料に要求される特性 /       薄膜ELディスプレイの発光層材料 /       薄膜絶縁層と透過型ELディスプレイ /       薄膜発光層/厚膜絶縁層混成構造カラーELディスプレイ  第2節 LCD    ■ アモルファスSiTFT       アモルファスSiTFTの構造 / TFT用薄膜材料と製造工程 /       アモルファスSiTFTの特性 / アモルファスSiTFT-LCDの動向    ■ 多結晶SiTFT       TFTプロセス / TFT構造 / 今後の課題と展望  第3節 PDP       AC型カラーPDPの構造 / PDPの表示原理 / PDPの作製工程 / 今後の展望  第4節 透明導電膜―ITOを中心に       電気伝導機構 / 低抵抗化へのチャレンジ / アモルファスITO薄膜 /       超平たんITO薄膜  第5節 FED       FEDの基本構造 /       フィールドエミッタ(FE)からの              電子放射FEDの駆動原理とパネルの試作例 /       その他のエミッタとFEDの試作例 第4章 記録  第1節 磁気記録用薄膜の応用と課題       AMRヘッド材料 / GMR材料:スピンバルブに至るまで /       スピンバルブGMRヘッド材料 / 将来展望と課題  第2節 CD・DVD・ROM       光ディスクの記録・再生原理 / 光ディスクの作製プロセス /       コンパクトディスク(CD) / DVD / 高密度化のアプローチ /       光ディスクの発展  第3節 書換え型CD・DVD       相変化光ディスクの概要 / Ge‐Sb‐Te系記録材料 / ディスク構造 /       誘電体保護層 / 書換え型光ディスクの高密度化  第4節 近接場記録       近接場光と表面プラズモン光 / 近接場光と光記録 /       近接場記録の今後の展開  第5節 蒸着テープ       蒸着テープの構造 / 斜方蒸着法 /       磁気特性の制御方法と磁性膜の微細構造 /       記録再生特性と走行耐久性の向上 / 蒸着テープのアプリケーション /       今後の技術動向  第6節 光磁気ディスク       記録媒体の構造 / 記録原理と変調方式 / 再生原理と高密度化技術 第5章 センサ  第1節 ガスセンサ       ガスセンサの概要 / 半導体ガスセンサ /       固体電解質センサへの薄膜技術の応用 /       その他のガスセンサへの薄膜技術の応用 /  第2節 力学センサ       力センサとトルクセンサ / 圧力センサ / 加速度センサ /       角速度センサ / 振動・衝撃センサ / 温度センサと流量センサ  第3節 磁気センサ       薄膜磁気センサ / SQUIDセンサ / MI効果センサ /       フラックスゲートセンサ / Hall効果センサ / MR/GMR/TMR効果センサ  第4節 赤外線センサ       量子型赤外線センサ / 熱型赤外線センサ  第5節 においセンサ       においセンサの原理 / 定常応答測定装置 / 測定結果 /       計算化学を用いたセンサ応答予測法  第6節 バイオセンサ       バイオセンサの原理 / 酵素固定化膜の作製と酵素センサ免疫センサ /       微生物センサ / 動物・植物組織センサ / 電極型遺伝子チップセンサ 第6章 マイクロマシン  第1節 マイクロマシン技術       マイクロマシニングとナノマシニング / 具体例 / 実用化の課題  第2節 マイクロマシンと薄膜の機械的物性       マイクロマシニング技術を用いた薄膜の機械的物性評価手法  第3節 アクチュエータとその応用       各種のマイクロアクチュエータ / マイクロアクチュエータの応用 /       今後の展望  第4節 マイクロ成形応用       マイクロマシンとマイクロ成形応用 / 微細3次元加工技術の要求 /       世界におけるLIGAプロセス研究開発状況 /       LIGAプロセスの課題と今後の展開 /       姫路工業大学放射光施設(ニュースバル) 第7章 環境エネルギー  第1節 シリコン太陽電池       太陽電池の動作原理と特徴 / 太陽電池の種類 / 薄膜太陽電池の特徴 /       a‐Si太陽電池 / 薄膜多結晶Si太陽電池 / ハイブリッド太陽電池 /       太陽電池の応用 / 今後の展望  第2節 CIS系薄膜太陽電池       CIS系薄膜太陽電池の特徴 / CIS系薄膜太陽電池の製造法 /       応用例:商業化への動き  第3節 色素増感太陽電池       グレッツェル・セルの構造とその作製法 /       グレッツェル・セルの発電機構 /       グレッツェル・セルの特徴 / 実用化への課題  第4節 燃料電池       燃料電池とその原理 / 燃料電池の構成 / 燃料電池の種類 /       固体高分子型燃料電池 / 水素源  第5節 光触媒       光触媒の特徴 / タンカー流出油の分解 / 環境ホルモンの分解 /       染色廃液の脱色 / ダイオキシン類の分解 / 大気浄化  第6節 選択透過膜    ■ 選択透過無機膜       セラミックス膜 / 炭素膜 / ゼオライト膜 / 触媒膜    ■ 有機高分子膜       ガス分離膜 / 促進輸送膜 / 浸透気化(蒸気透過)分離膜 / 薄膜作製  第7節 親水・はっ水膜       親水/はっ水膜材料 / 親水膜の応用 / はっ水膜の応用 / 今後の展望  第8節 金属酸化物多孔性薄膜       微粒子間の空隙を利用した多孔性薄膜の作製 /       鋳型法による多孔性薄膜の作製 第8章 有機バイオデバイス  第1節 有機発光素子    ■ 有機薄膜発光ダイオード       有機LEDディスプレイの研究開発 /       有機LEDの動作原理有機LEDに用いる材料    ■ 有機固体レーザ       共振器構造の設計 / 有機材料の設計 / 導波路構造の検討  第2節 導電性高分子薄膜    ■ ポリアセチレン       ケミカルドーピング / 電気伝導度 / ポリアセチレン /       ヘリカルポリアセチレン    ■ ポリビニルカルバゾール類       光学材料 / エレクトロルミネッセンス材料 /       モノリシックフォトリフラクティブ材料 /       極性配向膜作製と絶対配向方向の決定 /    ■ ポリアニリン       ポリアニリン薄膜の作製法 / 構造とスペクトル / 電気的性質 /       電気化学機能    ■ ポリジアセチレン  第3節 有機トランジスタ    ■ π共役低分子       π共役系材料 / π共役系材料を用いたトランジスタ /       チオフェン系トランジスタ / 伝導機構を解明する試み /       材料の構造と電気特性 /       アセン系トランジスタと超伝導およびレーザ発振 / まとめと将来展望    ■ π共役高分子       動作原理 / 研究の現状    ■ デバイス評価・応用       その場電界効果測定による有機薄膜物性評価 /       ドナー・アクセプタ分子積層構造トランジスタ /       縦型有機トランジスタ / 複合型有機発光トランジスタ素子  第4節 バイオデバイス    ■ 光電子機能DNA膜       機能材料としてのDNA / DNA膜の作製方法 /       インターカレーションの方法 / 測定例 / DNAデバイス化の可能性    ■ DNAチップ       DNAチップとは / DNAチップによる遺伝子の発現解析 /       DNAチップ・マイクロアレイから次世代DNAチップへ    ■ マイクロ化学デバイス       マイクロ化学デバイスの特徴 / マイクロ単位操作 /       主なマイクロ化学デバイス    ■ 光デバイスとしてのバクテリオロドプシン       バクテリオロドプシンの構造と機能 /       光デバイスへの応用配向が制御されたBR薄膜の作製と解析 第9章 カーボンナノストラクチャー  第1節 構造と特徴       フラーレン / カーボンナノチューブ / カーボンナノホーン /       ナノオニオン,バッキーオニオン / メソポアカーボン  第2節 作製と分離・精製方法       フラーレンの生成法 / フラーレン分離法 /       カーボンナノチューブの合成法 / カーボンナノチューブの精製法  第3節 電界放出電子源とディスプレイ       CNTの構造 / 電界放出とCNTの特徴 /       CNT膜の作製 / ディスプレイへの応用  第4節 電子デバイス       エレクトロニクス材料としてのカーボンナノチューブ /       カーボンナノチューブの合成 / 電界効果トランジスタ /       LSI配線新機能デバイス  第5節 カーボンナノチューブ等による水素吸蔵       水素貯蔵技術 / 多様なカーボンナノストラクチャー /       カーボンナノチューブによる水素吸蔵 /       グラファイトナノファイバーによる水素吸蔵 /       その他のカーボンナノストラクチャーによる水素吸蔵 /  第6節 可溶化と生体・医薬への応用       ナノチューブの側面を化学修飾する /       ナノチューブを切断して,末端を化学修飾する /       ナノチューブが溶ける溶  第7節 DLC膜       DLCの特徴・製法 / DLCの摩擦・摩耗特性 / DLCの用途開発 /       高分子材料へのDLCコーティング技術 ●キーワード索引 ●略語索引 ●化学式索引 ●評価方法と評価対象一覧

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