第1講　π共役系ポリマー・オリゴマーの
　　　エレクトロニクス・フォトニクスへの応用
1. はじめに
2. π電子系分子・物質群
　2.1 π電子系の特徴
　2.2 π電子系分子の分類
　2.3 直鎖状π共役系高分子
　2.4 構造を制御したπ共役系オリゴマー
3. π電子系物質のエレクトロニクス・オプトエレクトロニクス・フォトニクスへの応用
　3.1 二次電池、電解コンデンサ
　3.2 有機電界効果トランジスタ
　3.3 有機光電変換素子
　3.4 有機エレクトロルミネッセンス（EL）素子
　3.5 フォトリフラクティブ素子
4. 関連する国際会議

第2講　低誘電率高分子材料ベンゾシクロブテン樹脂
1. はじめに
2. 低誘電率材料のニーズ
　2.1 エレクトロニクス技術の動向
　2.2 低誘電率、低誘電正接の必要性
3. ベンゾシクロブテン（BCB）環の反応性
4. DVS-bis BCBポリマー（CYCLOTENE樹脂）の特性
5. 成膜プロセス
　5.1 CYCLOTENE樹脂の硬化
　5.2 CYCLOTENE樹脂のパターニング
6. 強靭化BCB樹脂
7. CYCLOTENE樹脂の用途
8. まとめ

第3講　半導体パッケージの動向、高密度・高性能かつ低コストへ
1. はじめに
2. フリップチップパッケージとは
3. 半導体チップからの要求
4. フリップチップ実装の特徴
5. 基板の配線設計
6. 基板の技術
7. 材料特性
8. 電気特性
9. 今後の動向
10. まとめ

第4講　有機トランジスタ
1. はじめに
2. 有機薄膜トランジスタ（有機TFT）の発展
　2.1 有機トランジスタの歴史
　2.2 トランジスタ研究の動機
　2.3 トランジスタ作製
3. π共役系高分子
　3.1 π共役系高分子のバンド構造
　3.2 有機半導体の電気特性による分類
4. 有機TFT
　4.1 有機TFTの構造
　4.2 有機TFTの作製
　4.3 チオフェン2量体のトランジスタ
　4.4 キャリア移動度
　4.5 チオフェン6量体（6T）のトランジスタ
　4.6 チオフェン6量体（6T）の吸収スペクトル
　4.7 有機TFTのキャリア生成メカニズム
　4.8 ポリチオフェン電解重合膜
　4.9 可溶性前駆体を経由するポリマー半導体
　4.10 TFT基板と構造
5. 有機TFTの応用
　5.1 キャリア移動度とPTVへの交換率の関係
　5.2 有機TFTによるインバータ
　5.3 リング発振器
　5.4 有機TFTのディスプレイへの応用
　5.5 有機トランジスタのディスプレイ駆動素子応用
　5.6 有機静電誘導トランジスタ
6. トランジスタの特性向上
　6.1 キャリア移動度の向上
　6.2 キャリア移動度の向上の推移
7. 有機TFTの応用イメージ
8. 今後の課題
　8.1 有機トランジスタの実用化
　8.2 トランジスタ特性の向上
　　8.2.1 高次構造の制御　　　8.2.2 材料の探索
　8.3 有機トランジスタの動作メカニズム

第5講　液晶ディスプレイ用光学フィルム
1. 液晶ディスプレイ（LCD）における光学フィルムの利用
2. 偏光板の特性
3. 偏光板の機能向上
4. 位相差フィルムの設計
5. まとめ