序文　　　圓藤紀代司

１ ULSIの将来展望と高分子材料への期待　　　角南英夫
　1. はじめに
　2. 集積回路の歩み
　　2.1. エレクトロニクスを支える半導体
　　2.2. トランジスタの発明
　　2.3. 集積回路の大規模化傾向
　　2.4. プロセッサ能力の推移
　　2.5. トランジスタの縮小と向上
　　2.6. 集積回路の将来と問題の顕在化
　3. 集積回路の高密度化と大規模化の障害
　　3.1. DRAMの革新と限界
　　　3.1.1. DRAM製品のサイズ縮小のトレンド
　　　3.1.2. DRAM蓄積容量の拡大
　　　3.1.3. 絶縁膜材料開発の問題点
　　　3.1.4. DRAMセルの革新
　　3.2. ゲート絶縁膜
　　　3.2.1. MOSFETトランジスタと電流
　　　3.2.2. MOSトランジスタのゲート膜厚トレンド
　　　3.2.3. 微細化されるMOSトランジスタゲート長
　　3.3. トランジスタの動作限界
　　　3.3.1. デバイス構造
　　　3.3.2. ゲート長32nmのトランジスタ
　　　3.3.3. トランジスタの立体化
　　　3.3.4. 集積回路への厳しい要求
　　　3.3.5. 性能向上と動作周波数
　　　3.3.6. 周波数の推移
　　　3.3.7. 配線を伝播する信号遅延モデル
　　　3.3.8. Low−k絶縁膜の耐熱性の向上と低誘電率化
　　　3.3.9. 空孔を導入した誘電膜の誘電率と機械的強度
　　3.4. 配線による遅延
　　　3.4.1. 微細化配線による遅延時間の増大
　　　3.4.2. 光配線の実用化
　　　3.4.3. 無線によるLSIチップ内のクロック分配
　　　3.4.4. 多層配線の損傷
　　　3.4.5. バリア膜の影響
　　3.5. リソグラフィ
　4. まとめ
　　4.1. プロセス・デバイスの動向
　　4.2. 自問自答
　　4.3. 材料革命が不可欠
　　4.4. 高分子材料への期待
　5. おわりに

２ 層間絶縁膜用低誘電率ボラジン−ケイ素ポリマーの開発　　　井上正巳
　1. 層間絶縁膜材料
　2. ボラジン環
　3. ボラジン−ケイ素ポリマー
　4. 新規低誘電率ポリマー材料の創出
　5. 層間絶縁膜
　　5.1. 低誘電率層間絶縁膜の評価技術
　　5.2. 安定な膜形成性
　　5.3. 電気的性質
　　5.4. 機械的性質
　　5.5. 熱的性質
　　5.6. 不純物測定
　　5.7. Cu拡散阻止性能
　　5.8. エッチング特性
　　5.9. インテグレーション
　6. まとめ

３ エレクトロニクス用感光性耐熱ポリマーの合成　　　上田　充
　1. はじめに
　2. 感光性多孔質ポリイミドの開発
　　2.1. 低誘電性ポリイミドの必要性
　　2.2. ポリイミドの多孔質化
　　2.3. 超臨界流体抽出
　　2.4. 相分離添加剤の選定
　　2.5. 多孔質ポリイミドのパターン形成
　　2.6. 多孔質ポリイミドの膜物性の機械特性と電気特性
　3. 全脂環式のポリイミドの開発
　　3.1. 全脂環式ポリイミドの合成
　　3.2. 全脂環式ポリイミドの熱的性質・誘電率
　4. 感光性ポリベンズオキサゾール（PBO）の新しい合成法
　　4.1. 3段階を経る合成法
　　4.2. ワンステップによる合成法
　　4.3. ポリベンズオキサゾールのパターン形成
　5. 反応現像画像形成
　　5.1. 合成、現像、パターン形成
　　5.2. 画像形成メカニズム
　6. 感光性ポリフェニレンエーテル（PPE）の開発
　　6.1. DNQを用いる合成法
　　6.2. 化学増幅系（架橋剤と光酸発生剤）を用いる合成法
　7. 感光性ポリナフタレンの開発
　　7.1. DNQを用いる合成法
　　7.2. 化学増幅系（架橋剤と光酸発生剤）を用いる合成法
　8. おわりに

４ 導電性高分子で作るプラスチックエレクトロニクス　　　奥崎秀典
　1. はじめに
　2. ラインパターニング法
　3. プラスチックエレクトロニクスへの応用
　　3.1. 液晶ディスプレイ
　　3.2. プッシュスイッチ
　　3.3. 有機トランジスタ
　4. マイクロエレクトロニクスデバイス
　　4.1. 高分子モーター、アクチュエータ
　　4.2. 導電性高分子マイクロファイバー

５ 実装材料としてのエポキシ樹脂の開発動向　　　伊藤慎吾
　1. はじめに
　2. 半導体パッケージ動向
　　2.1. リードフレームパッケージの代表構造
　　2.2. エリア実装型パッケージの代表構造
　　2.3. パッケージ動向
　　2.4. 代表的なパッケージ構造
　3. エポキシ樹脂封止材の概要と要求特性
　　3.1. エポキシ樹脂封止材の概要
　　　3.1.1. 封止材料の構成
　　　3.1.2. エポキシ樹脂の代表構造
　　　3.1.3. フェノール樹脂硬化剤の代表構造
　　　3.1.4. 硬化反応
　　　3.1.5. 無機充填材（シリカ）
　　　3.1.6. 難燃剤
　　　3.1.7. 封止材の製造方法
　　3.2. エポキシ樹脂封止材への要求特性
　　　3.2.1. ICパッケージの後工程と封止材への要求特性
　　　3.2.2. 耐はんだリフロー性（不良モード）
　　　3.2.3. クラック発生メカニズムと対策
　　　3.2.4. はんだリフロー試験（吸湿処理条件）
　4. 鉛フリーはんだ対応手法
　　4.1. 実装温度アップの影響
　　　4.1.1. 特性変動への影響予測
　　　4.1.2. 耐リフロークラック性への影響
　　4.2. 260℃実装対応手法
　　　4.2.1. コンセプト
　　　4.2.2. 従来のレジンシステム
　　　4.2.3. 鉛フリーはんだ対応レジンシステム
　　　4.2.4. レジンシステムの比較
　　　4.2.5. フィラーの影響
　　　4.2.6. 多芳香環適用材の260℃リフロークラック性
　5. ブロム・アンチモンフリー難燃化手法
　　5.1. ブロム・アンチモンフリー化手法
　　　5.1.1. 考え方
　　　5.1.2. 新規難燃剤（ブロム・アンチモン代替）
　　　5.1.3. フィラー高充填化
　　　5.1.4. レジン構造の制御
　　5.2. 多芳香環系樹脂の特性
　　　5.2.1. 多芳香環系の耐燃性
　　　5.2.2. 多芳香環系の難燃機構
　6. 環境対応材料
　　6.1. リードフレームパッケージ用環境対応材料
　　6.2. BGA・CSPパッケージ用環境対応材料
　　　6.2.1. 要求特性
　　　6.2.2. 耐はんだリフロー性
　　　6.2.3. パッケージ反り
　　　6.2.4. ウエルドボイド
　　　6.2.5. 一般特性
　　　6.2.6. リフロークラック性
　　　6.2.7. 反り、ワイヤー変形
　　　6.2.8. 超ファインピッチ
　7. 先端パッケージ対応材料
　　7.1. モールドアンダーフィル材料
　　7.2. Low−k素子対応材料

６ エレクトロニクス実装における高分子材料設計技術　　　中塚康雄
　1. はじめに
　2. 高分子材料の役割と期待
　3. 高分子材料の適用事例
　　3.1. フレキシブル多層回路基板（FPC）のワイヤーボンディング接合性検討
　　　3.1.1. ワイヤーボンディングの接合性
　　　3.1.2. ワイヤーボンディングの接合不良
　　　3.1.3. ワイヤーボンディングの支配因子
　　3.2. 異方性導電接続材料211
　　3.3. 半導体製造工程用粘着テープ
　　3.4. パッケージダイシング用耐熱粘着テープ
　　3.5. 熱剥離粘着シート
　4. 有機分子／金属界面の接着エネルギー計算事例紹介
　5. 21世紀エレクトロニクス社会への期待と課題