第1章 | SiCパワー半導体 |
総説 | SiCパワー半導体開発の現状と課題 |
1 | SiCパワー半導体への期待 |
2 | パワー半導体SiC開発の歴史 |
3 | SiC開発のブレークスルー─ステップ制御エピタキシー |
4 | SiCパワーデバイス実用化への道 |
5 | SiCパワー半導体開発の現状と課題 |
6 | 将来展望 |
第1節 | 結晶加工・プロセス技術 |
1.1 | 結晶成長技術 |
1 | 大口径・高品質SiCバルク単結晶の製造技術開発 |
1 | はじめに |
2 | 種付き昇華再結晶法によるSiCのバルク単結晶成長 |
3 | 種付き昇華再結晶法以外のSiCのバルク単結晶成長方法 |
4 | SiCバルク単結晶の電気特性制御 |
5 | SiC単結晶中の結晶欠陥 |
6 | おわりに |
2 | 高速4H─SiCエピタキシャル成長技術の開発 |
1 | はじめに |
2 | 縦型SiCエピタキシャル成長装置、実験方法 |
3 | 高速成膜 |
4 | 大面積均一性 |
5 | 膜質評価 |
6 | まとめと今後の課題 |
1.2 | デバイス作製のプロセス技術 |
1 | SiC単結晶の高精度基板加工技術の開発 |
1 | はじめに |
2 | 基板加工の流れ |
3 | 粗加工 |
4 | CMP加工 |
5 | まとめ |
2 | PCVMを用いたSiC基板の薄化 |
1 | はじめに |
2 | PCVMの概念 |
3 | PCVMによるSiCの基本加工特性 |
4 | PCVMによるSiC基板の薄化 |
5 | まとめと今後の展望 |
第2節 | 評価技術 |
2.1 | 電子顕微鏡による欠陥微細構造評価 |
1 | はじめに |
2 | 透過型電子顕微鏡法による非c面成長結晶中の欠陥微細構造観察 |
3 | 高分解能透過型電子顕微鏡法による6H─SiC中のグラファイト偏析粒子解析 |
4 | 極微細エッチピット/走査型電子顕微鏡による転位微細構造観察 |
5 | おわりに |
2.2 | 光学的アプローチによる6H─SiC単結晶中の欠陥評価 |
1 | はじめに |
2 | 光学的アプローチ |
3 | 構造特性評価 |
4 | 光学特性評価 |
5 | まとめ |
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第2章 | GaNパワー半導体 |
総説 | GaNパワー半導体開発の現状と課題 |
1 | はじめに |
2 | ワイドバンドギャップ半導体と性能指数 |
3 | GaNの現状と課題 |
4 | まとめ |
第1節 | 結晶加工・プロセス技術 |
1.1 | NaフラックスLPE法による高品質GaN結晶育成技術 |
1 | はじめに |
2 | Naフラックス法における結晶核発生制御技術 |
3 | 溶液撹拌による溶液状態制御技術 |
4 | まとめと今後の展望 |
1.2 | MOCVD法によるSi(110)基板上へのGaNの成長 |
1 | はじめに |
2 | 実験について |
3 | 実験結果と考察 |
4 | おわりに |
第2節 | 評価技術 |
2.1 | GaN自立基板上GaNのトラップ評価 |
1 | はじめに |
2 | n GaNショットキーダイオードによるトラップ評価 |
3 | GaN pnダイオードによるトラップ評価 |
4 | GaN MOS構造によるトラップ評価 |
5 | おわりに |
2.2 | GaNヘテロ接合のノイズスペクトロスコピー |
1 | はじめに |
2 | 評価方法 |
3 | GaNヘテロ接合の1/fゆらぎ |
4 | GaNヘテロ接合のGRゆらぎ、RTSゆらぎ |
5 | GaNのデバイスプロセス評価 |
6 | GaN HFET発振器の周波数ゆらぎ評価 |
7 | まとめ |
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第3章 | ダイヤモンドパワー半導体 |
総説 | ダイヤモンドパワー半導体開発の現状と課題─ダイヤモンド関連技術現況と応用状況を中心に─ |
1 | はじめに |
2 | ダイヤモンドの特性 |
3 | ダイヤモンドの種類 |
4 | ダイヤモンドを使うための技術 |
5 | ダイヤモンドの素材状況 |
6 | おわりに |
第1節 | 結晶加工・プロセス技術 |
1 | 1種結晶から直接薄板状のダイヤモンド単結晶の製造技術の開発 |
1 | はじめに |
2 | プラズマCVD法による単結晶ダイヤモンドバルク合成 |
3 | 板状ダイヤモンドの合成方法 |
4 | おわりに |
1.2 | 高出力マイクロ波プラズマCVD法を用いた高品質ダイヤモンド薄膜の合成 |
1 | はじめに |
2 | 高圧合成(001)基板上の高品質ダイヤモンド薄膜合成 |
3 | (001)微斜面基板における高品質膜の成長 |
4 | 高品質ダイヤモンド自立膜の作製 |
5 | おわりに |
第2節 | 評価技術─放射光軟X線分光法によるホウ素注入ダイヤモンドのバンドギャップ観察─ |
1 | はじめに |
2 | ホウ素注入ダイヤモンドの軟X線発光・吸収測定 |
3 | 軟X線スペクトルと分子軌道法による解析 |
4 | まとめ |