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| 第１章 | 総論 － グラフェンの特異な光電子物性と拡がる応用研究（尾辻泰一） |
| 1 | グラフェンの魅力 |
| 2 | グラフェン誕生と生成技術の進展 |
| 3 | グラフェン応用研究の展開 |
| 3.1 | 電子デバイス関連 |
| 3.2 | 光電子融合デバイス関連 |
| 3.3 | 光デバイス関連 |
| 3.4 | エネルギーデバイス関連 |
| 4 | 内外の研究開発動向と今後の展望 |
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| 第２章 | グラフェンの基礎物性 |
| 1 | グラフェンの結晶構造と電子物性（越野幹人） |
| 1.1 | はじめに |
| 1.2 | グラフェンの電子構造 |
| 1.3 | グラフェンとグラファイト |
| 1.4 | 様々な積層グラフェン |
| 1.5 | 磁場中のランダウ準位構造 |
| 1.6 | 巨大な軌道反磁性 |
| 2 | グラフェンの電子状態とスピン（若林克法） |
| 2.1 | はじめに |
| 2.2 | グラフェンの電子構造 |
| 2.3 | グラフェンのナノスケール効果 |
| 2.4 | グラフェンのエッジ・スピン効果 |
| 2.5 | おわりに |
| 3 | グラフェンの光電子物性（齋藤理一郎） |
| 3.1 | グラフェンの光学的な応用の概観：透明電極と試料評価 |
| 3.2 | グラフェンの光吸収の基礎 |
| 3.3 | グラフェンのラマン分光 |
| 3.4 | そのほかの光関連の技術 |
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| 第３章 | グラフェンの合成技術と応用展開 |
| 1 | 化学的剥離によるグラフェンの合成と透明導電膜応用（藤井健志） |
| 1.1 | はじめに |
| 1.2 | 化学的剥離によるグラフェンの合成方法 |
| 1.3 | 化学的剥離グラフェンのシートサイズの大面積化 |
| 1.4 | 化学的剥離によって作製したグラフェン透明導電膜 |
| 1.5 | おわりに |
| 2 | 金属触媒低温プラズマＣＶＤと透明電極応用（長谷川雅考，金 載浩，石原正統，山田貴壽） |
| 2.1 | グラフェンの大面積合成の必要性 |
| 2.2 | ニッケル基材の熱ＣＶＤ合成 |
| 2.3 | 銅基材の熱ＣＶＤ合成 |
| 2.4 | 銅の触媒機能 |
| 2.5 | 低温合成法の必要性 |
| 2.6 | グラフェン合成に適するプラズマとは |
| 2.7 | 基材を低温に保つ |
| 2.8 | 表面波プラズマＣＶＤによるグラフェン合成 |
| 3 | 化学気相成長法によるグラフェンの合成とトランジスタへの応用（佐藤信太郎） |
| 3.1 | はじめに |
| 3.2 | CVD法によるグラフェンの合成 |
| 3.2.1 | 鉄膜を利用したグラフェンの合成 |
| (1) | ホットフィラメントCVD法によるグラフェン、CNTの選択合成 |
| (2) | 熱CVD法によるグラフェンの合成 |
| 3.2.2 | 銅膜を触媒としたグラフェンの合成 |
| 3.3 | グラフェンのトランジスタチャネルへの応用 |
| 3.4 | おわりに |
| 4 | エレクトロニクス応用を目指したCVD成長－ ヘテロエピタキシャル触媒によるグラフェンの高品質化 －（吾郷浩樹） |
| 4.1 | はじめに |
| 4.2 | グラフェンの触媒CVD成長 |
| 4.3 | ヘテロエピタキシャル金属上でのCVD成長 |
| 4.3.1 | Co薄膜 |
| 4.3.2 | Cu薄膜 |
| 4.4 | Cuの結晶面に依存した単層グラフェンのドメイン構造 |
| 4.5 | CVDグラフェンのデバイス作製と評価 |
| 4.6 | アモルファスカーボンや高分子からの合成 |
| 4.7 | おわりに |
| 5 | SiC上のエピタキシャルグラフェン成長と結晶評価（日比野浩樹） |
| 5.1 | はじめに |
| 5.2 | エピタキシャルグラフェンの層数評価法 |
| 5.3 | Si面上でのグラフェン成長過程 |
| 5.4 | Si面上エピタキシャル２層グラフェンの積層構造 |
| 5.5 | C面上グラフェンの回転ドメイン |
| 5.6 | Si面上エピタキシャルグラフェンの電気伝導特性 |
| 5.7 | 今後の展望 |
| 6 | SiC基板上のエピタキシャルグラフェン成長（末光眞希） |
| 6.1 | はじめに |
| 6.2 | Si基板上のエピタキシャルグラフェン成長技術 |
| 6.2.1 | Si基板上エピタキシャルグラフェン―GOS技術― |
| 6.2.2 | Si基板上SiC薄膜成長条件の最適化 |
| 6.2.3 | Si基板上SiC薄膜の面方位と表面終端 |
| 6.3 | Si基板上SiC薄膜の上のグラフェン形成とその評価 |
| 6.3.1 | Si基板上SiC薄膜の上のグラフェン形成過程のLEEDおよびXPS評価 |
| 6.3.2 | Si基板上グラフェンの断面TEM 評価 |
| 6.3.3 | Si基板上グラフェンのラマン評価 |
| 6.4 | おわりに |
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| 第４章 | グラフェンの電子デバイス応用 |
| 1 | グラフェンチャネルトランジスタ（末光哲也） |
| 1.1 | はじめに |
| 1.2 | バックゲート型ＦＥＴとトップゲート型ＦＥＴ |
| 1.3 | ゲート絶縁膜 |
| 1.4 | 基板およびグラフェンの製法とトランジスタ |
| 1.5 | グラフェンＦＥＴの課題 |
| 1.6 | おわりに |
| 2 | グラフェン/金属コンタクトの理解と制御（長汐晃輔，鳥海明） |
| 2.1 | はじめに |
| 2.2 | グラフェン/金属コンタクトの特徴 |
| 2.2.1 | バンド図から見たグラフェン/金属接合 |
| 2.2.2 | 電荷移動領域とp-n接合 |
| 2.2.3 | グラフェン/金属における輸送特性 |
| 2.3 | コンタクト抵抗率 |
| 2.4 | 金属電極直下のグラフェンの輸送特性 |
| 2.5 | 将来展望 |
| 3 | グラフェンのＬＳＩ配線材料応用（二瓶瑞久） |
| 3.1 | はじめに |
| 3.2 | カーボン材料の優位性 |
| 3.3 | 縦方向コンタクトプラグ技術 |
| 3.4 | 横方向グラフェン配線技術 |
| 3.5 | ＣＮＴ/グラフェンの接合構造 |
| 3.6 | おわりに |
| 4 | グラフェントランジスタの論理回路応用（佐野栄一） |
| 4.1 | はじめに |
| 4.2 | グラフェン中のキャリア輸送 |
| 4.3 | FET性能 |
| 4.4 | 論理回路 |
| 4.5 | 今後の課題 |
| 4.6 | おわりに |
| 5 | グラフェンのバイオセンサー応用（松本和彦） |
| 5.1 | はじめに |
| 5.2 | グラフェンFETの作成/特徴とバイオセンサー応用 |
| 5.3 | グラフェンFETによるpH測定 |
| 5.4 | グラフェンFETによるIgE抗体の検出 |
| 5.5 | アプタマー修飾グラフェンによるIgE抗体の選択的検出 |
| 6 | グラフェンのスピントロニクス応用（白石誠司） |
| 6.1 | はじめに |
| 6.2 | スピン依存伝導現象 |
| 6.3 | グラフェンへのスピン注入 |
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| 第５章 | グラフェンのエネルギーデバイス応用 |
| 1 | グラフェンの水素吸蔵応用（市川貴之） |
| 1.1 | はじめに |
| 1.2 | ナノ構造化グラファイト |
| 1.3 | 水素化リチウムとのナノ複合体 |
| 1.4 | おわりに |
| 2 | グラフェンの太陽電池応用（藤井健志） |
| 2.1 | はじめに |
| 2.2 | CVDを用いたCuフォイル上へのグラフェンの成長 |
| 2.3 | CVDグラフェンの電気伝導特性評価 |
| 2.4 | おわりに |
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| 第６章 | グラフェンの光・テラヘルツデバイス応用 |
| 1 | グラフェンの透明電極応用（長谷川雅考，石原正統，山田貴壽、金載浩） |
| 1.1 | 透明導電膜として期待されるグラフェン |
| 1.2 | タッチパネルの試作 |
| 1.3 | 他のＩＴＯ代替透明導電膜材料との比較 |
| 1.4 | グラフェンのロールＴＯロール成膜 |
| 1.5 | グラフェンが期待される透明電極応用分野 |
| 2-A | Concepts of Terahertz and Infrared Photodiodes and Phototransistors Based on Graphene Structures（V. Ryzhii, N. Ryabova, M. Ryzhii, V. Mitin, T. Otsuji） |
| 2.1 | Introduction |
| 2.2 | Device structures and operation principles |
| 2.3 | Energy spectra of electrons and holes |
| 2.4 | Quantum efficiency of interband absorption |
| 2.5 | Responsivity of GL, MGL, GNR, and GBL p-i-n photodiodes |
| 2.6 | Comparison of GL, MGL, GNR, and GBL photodiodes responsivities |
| 2.7 | Comparison of dark-current limited detectivities of the photodiodes |
| 2.8 | GNR and GBL photodiodes vs GNR and GBL phototransistors |
| 2.9 | Conclusions |
| 2-B | グラフェンの光波検出応用（尾辻泰一）
（Concepts of Terahertz and Infrared Photodiodes and Phototransistors Based on Graphene Structures(概要)） |
| 3 | グラフェンのプラズモン特性とテラヘルツデバイス応用（尾辻泰一） |
| 3.1 | はじめに |
| 3.2 | グラフェン内プラズモンのモデリングと分散・減衰特性 |
| 3.3 | グラフェンリボンアレイの分散特性とテラヘルツデバイス応用 |
| 3.4 | グラフェン導波路における表面プラズモン・ポラリトンの利得増強作用 |
| 3.5 | グラフェン金属格子における表面プラズモン・ポラリトン利得増強作用 |
| 3.6 | おわりに |
| 4 | グラフェンの非平衡キャリアダイナミクスとテラヘルツレーザー応用（佐藤昭） |
| 4.1 | はじめに |
| 4.2 | 非平衡キャリアダイナミクスの理論的解析 |
| 4.2.1 | 概要 |
| 4.2.2 | レート方程式と誘電率 |
| 4.2.3 | パルス励起による反転分布 |
| 4.2.4 | CW励起による反転分布 |
| 4.3 | 時間分解計測によるTHｚ波増幅の観測 |
| 4.3.1 | 概要 |
| 4.3.2 | 光ポンプ/THｚ＆光プローブ法に基づく時間分解計測 |
| 4.3.3 | 実験結果・議論 |
| 4.4 | おわりに |
| 5 | グラフェンの光可飽和吸収特性と超短光パルスレーザー応用（山下真司） |
| 5.1 | はじめに |
| 5.2 | グラフェンの光学特性 |
| 5.2.1 | グラフェンの電気的・光学的特性 |
| 5.2.2 | グラフェンの非線形光学特性 |
| 5.3 | グラフェンを用いた短パルスレーザ |
| 5.3.1 | グラフェン光デバイス |
| 5.3.2 | グラフェンモード同期光ファイバレーザ |
| 5.4 | まとめと今後の展望 |
