★パワーエレクトロニクスのキーデバイスであるパワー半導体は、各種電源、インバータ、自動車、 　家電、電力等、様々な用途・応用があり、省エネや電力機器・装置の低コスト・小型化に向けて、 　更なる高性能化が求められるいる！！ ★本セミナーでは、パワー半導体素子の原理・特性を始め、高性能化のキーポイントとなる素子の 　開発動向・応用技術、又、具体的な応用装置への展開について、斯界の第一線でご活躍中の 　小倉博士に詳しく解説頂きます。

パワー半導体素子の高性能化動向と
応用装置への展開

●講　師	(株)東芝　セミコンダクター社 先端ディスクリート素子開発部 参事 工学博士	小倉常雄　氏
	＜講師紹介＞ 慶應義塾大学工学部卒業。 同大学工学研究科修士課程修了。 (株)東芝総合研究所入所。 セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部にて一貫 してパワー半導体デバイスの研究開発に従事。 電気学会会員、同学会半導体電力変換技術委員会副委員長、 米国電気学会会員。
●日　時	２００８年　７月　８日（火）　１０：００〜１６：００ （受付は講義開始時間の３０分前からとさせていただきます。）
●会　場	東京・新お茶の水・総評会館・４Ｆ・４０１室　　》》 会場地図はこちら 《《 ※急ぎのご連絡は(株)技術情報センター(TEL06-6358-0141)まで！！
●受講料	４９,９８０円（１名につき） （同時複数人数お申込みの場合１名につき４４,７３０円） ※テキスト代、昼食代、喫茶代、消費税を含む
●主　催	(株)技術情報センター

�T．パワー半導体素子について（概論） 　１−１　パワー半導体素子への期待 　１−２　パワー半導体素子の定義と特長 　１−３　パワー半導体素子の用途 　１−４　高性能化のためのパワー半導体素子への要求 �U．パワー半導体素子の動作原理と基本特性 　２−１　ＳＢＤ（Schottky Barrier Diodes） 　２−２　ｐｉｎダイオード 　２−３　ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors） 　２−４　ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistors） 　２−５　各素子の比較 　２−６　新材料デバイス �V．パワー半導体の高性能化のための素子開発動向 　３−１　ダイオードの研究課題と成果 　３−２　ＭＯＳＦＥＴの研究課題と成果 　３−３　ＩＧＢＴの研究課題と成果 　３−４　ＳｉＣデバイスの研究課題と成果 　３−５　ＧａＮデバイスの研究課題と成果 �W．パワー半導体の高性能化のための素子応用技術 　４−１　安全動作領域 　４−２　保護技術 　４−３　モジュール化技術 　４−４　ソフトスイッチング回路技術 　４−５　同期整流回路技術 �X．パワー半導体素子の応用装置の展開 　５−１　電動機（モータ）駆動分野 　５−２　電源分野 　５−３　電力分野 　５−４　家電分野 �Y．まとめと質疑応答

−名刺交換会− セミナー終了後、ご希望の方はお残り頂き、参加者間での名刺交換会を実施させて頂きます。